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碳化硅(SiC)結構生長技術升級峰會
日期:2025-6-11  訪問:447

 開展時間:2025-12-9
 結束時間:2025-12-11
 展會地點:上海新國際博覽中心


上海國際硅材料展覽會

官方鏈接了解更多  http://www.hmzlh.cn/s/id/693.html 

時間:2025129-11

地點:上海新國際博覽中心

報館名稱:國際碳材料大會暨硅材料展覽會

主辦方:勵展國際博覽

中國生產力促進中心協會新材料專委會

承辦方:漢慕會展(上海)有限公司

會展官方鏈接了解更多  http://www.hmzlh.cn/s/id/693.html 

大家上午好!在這萬物并秀的仲夏時節,我們齊聚一堂,共同開啟這場聚焦碳化硅結構生長技術升級的行業盛會。作為第三代半導體材料的核心代表,碳化硅正以突破性的物理特性重塑著電力電子、新能源汽車、航天軍工等領域的產業格局。今天,我們不僅是在探討一項技術的革新,更是在參與一場可能改變未來能源利用效率的產業革命。

讓我們首先回顧碳化硅技術發展的三個關鍵里程碑:從1893年愛德華·古德里奇·阿奇遜首次在實驗室合成碳化硅晶體,到上世紀50年代Lely法開創性的自發成核生長,再到90年代后期物理氣相傳輸法(PVT)實現產業化突破——這條技術演進之路,恰如我們手中正在生長的碳化硅晶體,需要經歷高溫高壓的淬煉才能成就卓越品質。據最新行業數據顯示,全球碳化硅功率器件市場規模預計在2027年突破100億美元,其中襯底材料的技術突破將成為決定產業發展的關鍵變量。

官方鏈接了解更多  http://www.hmzlh.cn/s/id/693.html 

 


   
   
 
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